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?B0322J5050AHF超小型變壓器Anaren

2024-12-19 17:09:02

B0322J5050AHF是Anaren的一款薄型超小型平衡到不平衡變壓器，專為下一代無線網絡芯片組上的差分輸入輸出區域需求設計，B0322J5050AHF選用簡單易用的表面貼裝封裝，包含GSM頻率。

Aeroflex-Weinschel可編程衰減器

2024-12-19 17:08:08

Aeroflex-Weinschel可編程衰減器具有多種配置，廣泛適用于無線網絡測試數據。Aeroflex-Weinschel可編程衰減器有固態、機械繼電器和邊緣線設計，最高8個通道。

?NBB-402級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC-8GHz

2024-12-19 17:07:08

Qorvo的NBB-402級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-402具有50Ω增益塊根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號領域提供了前所未有的性能。

?AM041201XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-19 17:06:00

AMCOM的AM041201XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM041201XD-P3的LO驅動電平范圍包括+4dBm至+10dBm。

?CHA6682-98F高功率放大器

2024-12-18 17:19:58

CHA6682-98F是款作業在24至27.5GHz之間的三級高功率放大器，具備5W的飽和輸出功率和32%的功率額外效率。CHA6682-98F包含有功率檢測器。

?1000V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-18 17:18:27

?CREE提供多種1000V碳化硅（SiC）MOSFET，專門針對新能源充電樁系統等迅速功率開關進行優化；LED電源；及其可再生資源系統。1000V碳化硅MOSFET根據以及具有低導通電阻的特殊器件去解決諸多功率設計挑戰；

?110046020/ 110046020K定向耦合器KRYTAR

2024-12-17 17:17:13

KRYTAR的110046020/ 110046020K提高了多功能帶狀線設計的選擇，應用在10.0至46.0 GHz的寬帶頻率范圍內具有卓越的耦合性能，并且封裝緊湊便攜。此外，110046020/ 110046020K提供卓越的性能等級，包含20 dB、±1.0 dB的標稱耦合（相對于輸出）和±0.5的頻率精確度。

?2.000~5.800GHz插入式循環器NOVA

2024-12-17 17:16:06

NOVA射頻微波提供2.000~5.800GHz插入式循環器，主要用于連接通信網絡技術應用，國防軍事應用，蜂窩網絡和無線行業市場。

?53029-003J 0.9mm超微型接口連接器

2024-12-17 17:14:53

因為53029-003J連接器0.9mm超微型接口的校準標準不適用，因此53029-003J的兩個0.9 mm SuperMini 9 mil管腳連接器與1.85 mm Jack（F）至0.9 mm Plug（M）適配器背對背檢測。要獲取具有適配器的單獨連接器的VSWR。

?NBB-400級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC-8GHz

2024-12-17 17:13:52

Qorvo的NBB-400級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益塊根據值得信賴的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能指標。

?AM020313XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-17 17:12:36

AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM020313XD-P3頻率范圍在220-300MHz之間，LO驅動電平范圍在+14dBm至+20dBm。

CHA2441-QAG K波段低噪聲放大器

2024-12-17 11:24:42

?CHA2441-QAG是款K波段低噪聲放大器，從單獨偏置電源+3.3V具備25.5dB增益值，相位噪聲為2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。

900 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-17 11:21:28

CREE擴展了其在碳化硅（SiC）技術中的主導地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET

?MAAM-011305-DIE寬帶低噪聲增益模塊

2024-12-13 17:14:12

?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動態范圍單級MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內部適配，不需要任何外部適配模塊，就可以提供平整的增益和8 GHz的優良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。

?NBB-312級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC至12GHz

2024-12-13 17:12:21

NBB-312級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能指標。

?RFLUPA0030G10A L,S波段超寬帶功率放大器

2024-12-13 17:10:07

RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器，適合用在各式各樣無線通信網絡和國防安全應用領域，RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。

?CMD244K5 L,S,C,X,Ku和K波段分布式驅動放大器

2024-12-13 17:07:39

Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅動放大器，頻率范圍從DC到20 GHz，使用無導線表面貼裝封裝形式。

AM012514XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-13 17:06:24

?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012514XD-P3的LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA2190-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-12 17:27:45

CHA2190-99F是款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標準的pHEMT制造技術：柵極尺寸為0.25μm，根據基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。CHA2190-99F以芯片形式提供。

?1700 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-12 17:26:18

CREE的1700 V碳化硅（SiC）MOSFET能夠實現相對較小、高效率的功率轉換系統。與硅基處理方式相比較，CREE碳化硅技術能夠提高系統功率密度、較高的工作頻率、較小的結構設計、更冷門的的模塊、較小的模塊規格（電感器、電容器、濾波器和變壓器）和整體成本效率。

?RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器

2024-12-11 17:24:10

RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器通常用于同軸系統，在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內檢測高至100 mW的相應微波功率。

?Q20HA-9500R寬帶雙向耦合器

2024-12-11 17:22:03

Q20HA-9500R是款寬帶雙向耦合器，具有高專一性和高功率處理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入損耗、高功率性能、高專一性、小封裝中的平整耦合電路。

?IS-3.000射頻隔離器2.000-4.000 GHz

2024-12-11 17:20:19

MECA提供的IS-3.000隔離器選用SMA母連接器，均值額定功率為30瓦，工作頻段為2.000-4.000 GHz。提供適合IP 67標準的隔離器。

?NBB-310級聯寬帶GaAs MMIC放大器

2024-12-11 17:15:58

Qorvo的NBB-310級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。

?AM012509XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-11 17:14:48

AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012509XD-P3的LO驅動電平范圍在+10dBm至+16dBm。

?CHA2193-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-10 17:10:14

CHA2193-99F是款三級低噪聲放大器。芯片的背面是射頻和直流接地。有利于優化安裝過程。CHA2193-99F致力于從國防軍事到商業服務通訊系統的普遍使用需求設計。

1200V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-10 17:09:20

CREE的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET系列對應高功率應用進行優化，如應急電源（UPS）、電機控制系統和驅動器、開關電源電路、儲能設備、新能源電動車快充、高壓DC/DC轉換器等。

?2413帶通濾波器KR Electronics

2024-12-09 17:08:22

KR 2413是一個400Hz帶通濾波器。通常適用于PCB封裝，其他通帶頻率均可用。

?SemiGen電感器線圈

2024-12-09 17:07:33

SemiGen的電感線圈通常是在石英基板上采用薄膜工藝制造的。高精密光刻技術和非化學蝕刻技術提供整潔的邊緣，以保障電磁線圈之間的均勻度。

?AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲VCO

2024-12-09 17:06:20

NEL Frequency Controls的AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲特別適合在具有震動或加速度的條件下需要具備超低相位噪聲的壓控晶體振蕩器（VCXO）的應用。