Qorvo的NBB-400級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益塊根據(jù)值得信賴的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。
AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM020313XD-P3頻率范圍在220-300MHz之間,LO驅(qū)動(dòng)電平范圍在+14dBm至+20dBm。
?CHA2441-QAG是款K波段低噪聲放大器,從單獨(dú)偏置電源+3.3V具備25.5dB增益值,相位噪聲為2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。
CREE擴(kuò)展了其在碳化硅(SiC)技術(shù)中的主導(dǎo)地位,低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離(~8mm)。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運(yùn)用最新的MOSFET
?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動(dòng)態(tài)范圍單級(jí)MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內(nèi)部適配,不需要任何外部適配模塊,就可以提供平整的增益和8 GHz的優(yōu)良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。
NBB-312級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據(jù)安全可靠的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。
RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器,適合用在各式各樣無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)和國(guó)防安全應(yīng)用領(lǐng)域,RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。
Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅(qū)動(dòng)放大器,頻率范圍從DC到20 GHz,使用無(wú)導(dǎo)線表面貼裝封裝形式。
?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM012514XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+14dBm至+20dBm。
CHA2190-99F是款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT制造技術(shù):柵極尺寸為0.25μm,根據(jù)基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)。CHA2190-99F以芯片形式提供。
CREE的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)較小、高效率的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與硅基處理方式相比較,CREE碳化硅技術(shù)能夠提高系統(tǒng)功率密度、較高的工作頻率、較小的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、更冷門的的模塊、較小的模塊規(guī)格(電感器、電容器、濾波器和變壓器)和整體成本效率。
RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測(cè)器通常用于同軸系統(tǒng),在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內(nèi)檢測(cè)高至100 mW的相應(yīng)微波功率。
Q20HA-9500R是款寬帶雙向耦合器,具有高專一性和高功率處理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入損耗、高功率性能、高專一性、小封裝中的平整耦合電路。
MECA提供的IS-3.000隔離器選用SMA母連接器,均值額定功率為30瓦,工作頻段為2.000-4.000 GHz。提供適合IP 67標(biāo)準(zhǔn)的隔離器。
Qorvo的NBB-310級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。
AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM012509XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍在+10dBm至+16dBm。
CHA2193-99F是款三級(jí)低噪聲放大器。芯片的背面是射頻和直流接地。有利于優(yōu)化安裝過(guò)程。CHA2193-99F致力于從國(guó)防軍事到商業(yè)服務(wù)通訊系統(tǒng)的普遍使用需求設(shè)計(jì)。
CREE的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列對(duì)應(yīng)高功率應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,如應(yīng)急電源(UPS)、電機(jī)控制系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源電路、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源電動(dòng)車快充、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
KR 2413是一個(gè)400Hz帶通濾波器。通常適用于PCB封裝,其他通帶頻率均可用。
SemiGen的電感線圈通常是在石英基板上采用薄膜工藝制造的。高精密光刻技術(shù)和非化學(xué)蝕刻技術(shù)提供整潔的邊緣,以保障電磁線圈之間的均勻度。
NEL Frequency Controls的AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲特別適合在具有震動(dòng)或加速度的條件下需要具備超低相位噪聲的壓控晶體振蕩器(VCXO)的應(yīng)用。
Qorvo的NBB-300級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。
AMCOM的AM011714XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM011714XD-P3 LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+14dBm至+20dBm。
CHA5350-99F是一種四級(jí)單片MPA,通常是在1dB增益值壓縮下具備26.5dBm的輸出功率,與34dBm的高IP3輸出相關(guān)。
CREE通過(guò)發(fā)布碳化硅(SiC)MOSFET的E系列產(chǎn)品線,增加了CREE在碳化硅行業(yè)中的領(lǐng)先地位;汽車符合標(biāo)準(zhǔn);具備PPAP性能和耐潮濕MOSFET。
ATM Microwave生產(chǎn)制造高質(zhì)量的高增益喇叭天線,具備線性電極化、質(zhì)量輕和抗腐蝕性。
Mi-Wave的840系列電壓控制電源具備18至110Ghz的頻率。射頻寬帶壓控振蕩器主要用作調(diào)配發(fā)射器或本地振蕩器。常見的應(yīng)用包括雷達(dá)探測(cè)、頻偏源和電力網(wǎng)絡(luò)。
CERNEX的寬帶臺(tái)式放大器通常用于各種通用型技術(shù)應(yīng)用,如實(shí)驗(yàn)測(cè)試機(jī)械設(shè)備、儀器和其他應(yīng)用。使用穩(wěn)固的帶狀線系統(tǒng)結(jié)構(gòu),相結(jié)合所選擇的GAsFET、PHEMT和MIMIC,實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)行。
Qorvo的AG302-63G是款通用型緩沖功率放大器,選用降低成本表面貼裝技術(shù)封裝,提供高動(dòng)態(tài)范圍。在900 MHz時(shí),AG302-63G通常提供15.5 dB增益值、+26 dBm OIP3和+13.5 dBm P1dB。
AMCOM的AM001005XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM011001XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+7dBm至+13dBm。