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MRF10031專為960-1215 MHz長或短脈沖公共基極放大器應用而設計 MACOM現貨

2018-07-12 14:47:08

MACOM現貨MRF10031專為960-1215 MHz長或短脈沖公共基極放大器應用而設計，如JTIDS和Mode-S發射器。保證性能@ 960-1215MHz，36Vdc，金屬金屬化，發射器具有長壽命和抗金屬遷移性。

MRF455射頻功率晶體管 - 硅雙極性航空航天功率放大器 MACOM現貨

2018-07-12 14:39:05

MACOM現貨MRF455射頻功率晶體管 - 硅雙極性航空航天功率放大器 ，專為工業，商業和業余無線電設備中的功率放大器應用而設計，頻率為30 MHz。 輸出功率= 60 W.

MRF454工業商業和業余無線電設備中的功率放大器 MACOM代理商

2018-07-12 14:28:37

MACOM現貨代理商MRF454工業商業和業余無線電設備中的功率放大器， 指定12.5 V，30 MHz特性：效率= 50％，最小增益= 12 dB， 輸出功率= 80 W.

MRF327航空航天寬帶大信號輸出放大器 MACOM代理商現貨

2018-07-12 14:17:40

MACOM代理商現貨MRF327航空航天寬帶大信號輸出放大器， 保證性能@ 400 MHz，28 Vdc：輸出功率= 80 W，225至400 MHz頻段，最小增益= 7.3 dB @ 400 MHz。

PH1214-100EL射頻功率晶體管 - 硅雙極性 密封金屬 MACOM現貨代理商

2018-07-11 16:48:55

PH1214-100EL射頻功率晶體管 - 硅雙極性， 通用基本配置密封金屬擴散發射極鎮流電阻器 符合RoHS標準，MACOM現貨代理商

MRF421高功率線性放大器射頻功率晶體管 MACOM代理商現貨

2018-07-11 16:46:31

MRF421高功率線性放大器射頻功率晶體管主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器。100％測試所有相位天使的負載不匹配，具有30：1的VSWR， MACOM代理商現貨

PH2226-110M射頻功率晶體管陶瓷封裝 MACOM代理商現貨出售

2018-07-11 16:31:09

PH2226-110M射頻功率晶體管陶瓷封裝，NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標準， 擴散發射極鎮流電阻器，金金屬化系統，MACOM代理商現貨出售

MRF392頻率30至500 MHz寬帶大信號輸出和驅動放大器 MACOM代理商

2018-07-11 16:22:17

MACOM現貨代理商的MRF392主要設計用于30至500 MHz頻率范圍內的寬帶大信號輸出和驅動放大器級。指定的28 V，400 MHz特性：輸出功率= 125 W，典型增益= 10 dB，效率= 55％（典型值）。

MRF1150MB射頻功率晶體管 - 硅雙極性共基極放大器 MACOM現貨

2018-07-11 16:10:34

MRF1150MB射頻功率晶體管 - 硅雙極性設計用于短脈沖TACAN，IFF和DME發射器中的B類和C類共基極放大器應用。保證性能@ 1090 MHz，50 Vdc - 輸出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB， MACOM現貨代理商熱銷。

MRF422主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器 MACOM現貨

2018-07-11 16:01:16

MRF422主要設計用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器，額定28 V，30 MHz特性：輸出功率= 150 W（PEP），效率= 40％，最小增益= 10 dB，100％測試所有相位天使的負載失配，具有30：1的VSWR， MACOM現貨

MRF429射頻功率晶體管主要設計用于高壓應用 MACOM現貨

2018-07-11 15:42:33

MRF429射頻功率晶體管主要設計用于高壓應用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。

PH1214-220M硅微波功率晶體管陶瓷封裝 MACOM現貨

2018-07-11 15:30:13

PH1214-220M硅微波功率晶體管陶瓷封裝 符合RoHS標準，密封金屬/陶瓷封裝，擴散發射極鎮流電阻器，寬帶C類操作， 通用基本配置，MACOM現貨代理出售。

HMC641ALC4/HMC641ALC4TR寬帶反射GaAs開關 ADI現貨

2018-07-11 15:19:50

HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關，采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關頻率范圍為DC至20 GHz，具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。

HMC345ALP3E/HMC345ALP3ETR寬帶非反射SP4T開關 ADI現貨

2018-07-11 15:05:17

HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。

HMC245AQS16E/HMC245AQS16ETR反射式SP3T開關 ADI現貨

2018-07-11 15:02:00

ADI現貨HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關，采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至3.5 GHz，提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。

HMC241ALP3E/HMC241ALP3ETR非反射式SP4T開關 ADI現貨

2018-07-11 14:53:14

ADI現貨HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關提供43 dB（典型值）的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內端接隔離端口。

HMC199AMS8E/HMC199AMS8ETR通用型雙通道開關 ADI現貨

2018-07-11 14:37:15

HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開關，采用8引腳MSOP封裝，頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個RF端口部件將兩個SPDT開關和一條直通線集成到單個IC上

HMC641A/HMC641A-SX單刀四擲(SP4T)開關 ADI現貨

2018-07-11 14:26:26

HMC641A是一款非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關在0.1 GHz至18 GHz寬帶頻率范圍內通常提供2.1 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。

HMC574AMS8E/HMC574AMS8ETR汽車低成本SPDT開關 ADI現貨

2018-07-11 14:12:22

HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關，采用8引腳MSOP封裝，適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發射/接收應用。該器件可控制DC至3 GHz信號，尤其適合蜂窩/3G基礎設施、WiMAX和WiBro應用，典型插入損耗僅為0.3 dB。

MRF448射頻功率晶體管 - 硅雙極性 MACOM現貨

2018-07-10 16:13:29

MRF448?射頻功率晶體管 硅雙極性?主要設計用于高壓應用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。若您有任何疑問，請聯系我們立維創展，我們會盡最大努力為您服務。

PH1214-300M_NPN硅微波功率晶體管 MACOM代理商現貨

2018-07-10 16:04:12

PH1214-300M密封金屬/陶瓷封裝NPN硅微波功率晶體管 ，內部輸入和輸出阻抗匹配寬帶C類操作擴散發射極鎮流電阻器，符合RoHS標準

MRF141G高功率高增益寬帶性能固態發射機和放大器 MACOM現貨

2018-07-10 15:57:56

MACOM現貨MRF141G專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應用而設計。該設備的高功率，高增益和寬帶性能對FM廣播或電視頻道頻段固態發射機和放大器特別有用。

NPTB00004A寬帶晶體管VHF / UHF / L波段雷達 MACOM現貨

2018-07-10 15:40:46

NPTB00004A GaN HEMT是一款針對DC-6 GHz工作進行了優化的VHF / UHF / L波段雷達?寬帶晶體管。該器件采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率為5W（37 dBm）。

NPA1008寬帶集成GaN功率放大器 MACOM現貨

2018-07-10 15:27:41

NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器，針對20 - 2700 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作，輸出電平為5 W（37 dBm），采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測試和測量，國防通信，陸地移動無線電和無線基礎設施中的通用窄帶到寬帶應用。

NPTB00025B射頻功率晶體管 MACOM代理商現貨熱賣

2018-07-10 15:18:43

NPTB00025B射頻功率晶體管針對DC - 4000MHz的寬帶操作進行了優化，熱增強型工業標準封裝100％射頻測試，特點適用于高達32V的工作電壓

HMC344ALP3E/HMC344ALP3ETR寬帶單刀四擲(SP4T)開關 ADI現貨

2018-07-10 15:07:33

HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。

HMC322ALP4E/HMC322ALP4ETR寬帶非反射SP8T開關 ADI現貨

2018-07-10 15:03:37

HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。 該開關還集成了片內二進制解碼電路，將所需邏輯控制線減至三條

HMC252AQS24E/HMC252AQS24ETR低成本非反射SP6T開關 ADI現貨

2018-07-10 14:55:15

ADI現貨HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T開關，采用24引腳QSOP封裝，寬帶工作頻率范圍為DC至3.0 GHz。 該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。

HMC244AG16密封非反射式SP4T開關 ADI現貨

2018-07-10 14:26:59

HMC244AG16是一款非反射式SP4T開關，采用16引腳玻璃/金屬（密封）封裝。 該開關頻率范圍為DC至4 GHz，3 GHz范圍內提供30至50 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。

HMC986A/HMC986A-SX寬帶單刀雙擲(SPDT)開關裸片 ADI現貨

2018-07-10 14:06:28

ADI現貨HMC986A是一款寬帶GaAs pHEMT MMIC單刀雙擲(SPDT)開關裸片。這款緊湊型開關采用反射式拓撲結構，通過兩個互補輸入（0/-3V至0/-5V）控制。輸入信號為40 GHz時，該器件具有19 dB回損、34 dB隔離，以及僅2.1 dB的插入損耗。