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雷達(dá)通信系統(tǒng)X波段功率放大器MAAP-015030 MACOM現(xiàn)貨

2018-11-29 16:03:02

雷達(dá)通信系統(tǒng)X波段功率放大器MAAP-015030，兩級8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的飽和脈沖輸出功率，21dB的大信號增益和40％的功率附加效率。

Ka波段雷達(dá)寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE

2018-11-29 15:57:00

Ka波段雷達(dá)寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE，是一款工作頻率為32至38 GHz的寬帶功率放大器，飽和輸出功率為37 dBm，PAE為23％，信號增益小，為18 dB。

2.3 W Ka波段功率放大器MAAP-011298

2018-11-29 15:54:37

MAAP-011298是一款2.3瓦，4級Ka波段功率放大器，采用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑料封裝。該功率放大器工作在27至31.5 GHz，提供24.5 dB線性增益，2.3 W飽和輸出功率和26％效率，同時偏置電壓為6 V. MAAP-011298可用作功率放大器級或驅(qū)動級更高功率的應(yīng)用。

新型高線性度超寬帶0.5W GaAs分布式驅(qū)動器放大器工作在DC - 30 GHz

2018-11-29 14:43:16

CMD292是寬帶GaAs MMIC分布式驅(qū)動器放大器芯片，工作頻率范圍為DC至30 GHz。該放大器提供13 dB的增益，相應(yīng)的輸出1 dB壓縮點為+27 dBm，輸出IP3為33 dBm（15 GHz）。CMD292采用50歐姆匹配設(shè)計，無需RF端口匹配。

L波段放大器_L波段功率放大器_L波段功率放大器芯片/模塊

2018-11-29 10:55:08

L波段放大器簡介：根據(jù)IEEE 521-2002標(biāo)準(zhǔn)，L波段是指頻率在1-2 GHz的無線電波波段(波長300.00 - 150.00 mm)，L波段功率放大器芯片/模塊在應(yīng)用方面有電子戰(zhàn)（EW）、個人電腦基站、GPS應(yīng)用、MMDS、無線局域網(wǎng)中繼器、14V應(yīng)用、多頻段VSAT、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施基站等用途。

采用并聯(lián)獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA

2018-11-29 10:48:48

采用并聯(lián)獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA，aN器件具有與GaAs器件相當(dāng)?shù)脑肼曄禂?shù)，同時能夠承受非常高的輸入驅(qū)動器。本文介紹了2～4GHz(S波段)Pout～37dBm的GaN低噪聲放大器(LNA)、1．8～3．5dB噪聲系數(shù)(NF)和48～54dBm輸出參考三階截距點(OIP3)的設(shè)計。

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究：第二部分

2018-11-28 15:09:20

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究，基于我們之前關(guān)于脈沖恢復(fù)測試的博客，我們提供了具有5至9 GHz帶寬的市售GaN MMIC放大器的脈沖恢復(fù)時間測量。放大器組裝成金屬外殼，2.4 mm連接器用于連接測試設(shè)備。

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究：第一部分

2018-11-28 15:04:33

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）因其高擊穿電壓和處理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而眾所周知。最近，GaN技術(shù)也被用于在微波區(qū)域中創(chuàng)建低噪聲放大器（LNA），因為GaN的噪聲特性與其他半導(dǎo)體材料類似，最值得注意的是砷化鎵（GaAs）。

AM000100PM-BT_ 0.05GHz -100GHz 寬帶偏置TEE

2018-11-28 10:44:17

AMCOM的AM000 0100PM-BT是寬帶偏置TEE。在0.05GHz～10.0GHz頻段內(nèi)，該電路插入損耗小于1.0dB，VSWR優(yōu)于1.4：1。AM000100PM-BT是在一個小型鋁外殼與射頻輸入和輸出SMA連接器。偏置三通可以處理約1瓦的RF功率和可以有多達(dá)2.5A的直流電流。

10W的SPDT T / R開關(guān)DC – 11.0GHz——AM00011040TM-CM-R

2018-11-28 10:36:07

AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一個寬帶SPDT的T/R電源開關(guān)在CM封裝。在0.05～11.0GHz頻段內(nèi)，其插入損耗小于2.5dB，優(yōu)于2:1VSWR。這種T/R開關(guān)在發(fā)射模式（TX ON）下可以處理多達(dá)15W的RF功率，在接收模式（RX ON）下可以處理多達(dá)1W的RF功率。

AM000100CP-20超寬帶20dB雙向定向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:22:59

AMCOM的AM000100CP - 20是一種雙向雙向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .與SMA連接器有關(guān)的AM000100CP - 20在鋁合金中的包裝

AM000100DP-20超寬帶20dB雙向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:17:31

AMCOM的AM0001000-20是一種雙向雙向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本發(fā)明的A000100DP - 20是在一個與SMA連接的鋁管中包裝的。

M0040PM-VVP無源模塊電壓控制相位移相器2-5GHz

2018-11-28 10:10:23

AMCOM的AM0040PM-VVP是一個連接的，完全匹配的電壓控制相位移相器模塊。它具有從2到5 GHz的寬的頻率范圍。該控制簡單地通過改變0至25伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現(xiàn)。

AM0040PM-VVA無源模塊電壓控制衰減器DC-4GHz

2018-11-28 10:04:01

MCOM的AM0040PM-VVA是一個連接的，完全匹配的電壓控制衰減器模塊。它具有從DC到4 GHz的寬的頻率范圍。它還具有高線性性能。該控制僅通過改變1-5伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現(xiàn)。此外，該模塊需要2.7V的外部固定電源電壓(V.)。

MAAD-007082-000100集成TTL驅(qū)動器GaAs FET 6位數(shù)字衰減器

2018-11-27 16:14:15

MACOM的MAAD-007082-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007082-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

TTL驅(qū)動器5位數(shù)字衰減器MAAD-007081-000100

2018-11-27 16:07:58

MACOM的MAAD-007081-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍為15.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007081-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

6位數(shù)字衰減器集成TTL驅(qū)動器MAAD-007080-000100

2018-11-27 16:02:07

MACOM的MAAD-007080-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007080-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

集成驅(qū)動器4位數(shù)字衰減器MAAD-007079-000100

2018-11-27 15:54:59

MACOM的MAAD-007079-000100是一款具有集成驅(qū)動器的GaAs FET 4位數(shù)字衰減器。步長為2 dB，衰減范圍為30 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成TTL驅(qū)動器MAAD-007078-000100數(shù)字衰減器 macom現(xiàn)貨代理

2018-11-27 15:30:17

MACOM的MAAD-007078-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍為31 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成驅(qū)動器GaAs FET 4位數(shù)字衰減器MAAD-007077-000100

2018-11-27 15:23:05

MACOM的MAAD-007077-000100是一款具有集成驅(qū)動器的GaAs FET 4位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，提供15 dB衰減范圍。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007077-000100適用于需要精度，快速，低功耗和低成本的單電源應(yīng)用。

6位步進(jìn)式GaAs MMIC數(shù)字衰減器MAAD-000523

2018-11-27 15:15:51

MAAD-000523是一款6位，0.5 dB步進(jìn)式GaAs MMIC數(shù)字衰減器，采用無鉛4 mm 24引腳PQFN表面貼裝塑料封裝。該器件非常適用于需要高精度，低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場合。典型應(yīng)用包括蜂窩基站RX / TX陣容，F(xiàn)emtocell和其他增益/電平控制電路。

精密接收器電路GaAs FET數(shù)字衰減器AT20-0273——MACOM代理現(xiàn)貨

2018-11-27 15:13:16

MACOM的AT20-0273是一款GaAs FET數(shù)字衰減器，最小步長為16 dB，總衰減為32 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT20-0273非常適用于需要精度，快速開關(guān)，極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場合。

Anaren微型星形耦合器1M803現(xiàn)貨

2018-11-26 16:10:17

1M803微型星形耦合器是一個低輪廓，微型3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝設(shè)計U-NII，ISM和超局域網(wǎng)應(yīng)用。1M803是為均衡放大器和信號分配而設(shè)計的，是無線工業(yè)對小型印刷電路板和高性能不斷增長的需求的理想解決方案。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

470～860兆赫90度混合耦合器1F1304-3S

2018-11-26 14:54:25

1F1304-3S是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面貼裝封裝覆蓋470至860兆赫。該1F1304-3S是理想的平衡放大器和信號分布，并可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

1.20—1.85 GHz低剖面3dB混合耦合器1E1305-3

2018-11-26 14:05:13

1E1305-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝覆蓋日本PDC帶寬。1E1305-3是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

Anaren平衡放大器耦合器11306-3

2018-11-26 14:01:08

11306-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝覆蓋2.0到4.0GHz。11306-3是理想的平衡放大器和信號分布，可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

1—2 GHz混合耦合器11305-3S——Anaren代理現(xiàn)貨

2018-11-26 11:28:47

11305-3S是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋1.0至2.0GHz。11305-3S是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

500—1000兆赫混合耦合器11304-3S——Anaren代理現(xiàn)貨

2018-11-26 11:19:06

500—1000兆赫混合耦合器11304-3S，是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋500至1000MHz。11304-3S是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。

低剖面3dB混合耦合器11303-3——Anaren現(xiàn)貨

2018-11-26 11:15:08

11303-3是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋NMT 450波段。11303-3是理想的平衡放大器和信號分布，可用于大多數(shù)高功率設(shè)計。零件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗和單元100%的檢驗。

Anaren低剖面90度混合耦合器11302-3

2018-11-26 11:11:18

11302-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝的應(yīng)用在225-400MHz頻段。11302-3是平衡放大器和信號分配的理想選擇，也是越來越小的印刷電路板需求的理想解決方案。