SOUTHWEST西南微波公司成立于1981年,為毫米波和高功率射頻軟件供應(yīng)非常高性能的互連產(chǎn)品。SOUTHWEST 產(chǎn)品以高性能、嚴(yán)緊為技術(shù)優(yōu)勢,廣泛軟件于測試、軍工等項(xiàng)目。如各類毫米持續(xù)器、線纜等。
MACOM?是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技術(shù)供給商。MACOM供給普遍的陸續(xù)波(CW)硅上GaN射頻功率放大器產(chǎn)品,這些產(chǎn)品是設(shè)計(jì)用于DC至6 GHz的別離器件和模塊。MACOM的高功率陸續(xù)波和線性產(chǎn)品很適用民用航空電子,通訊,網(wǎng)絡(luò),長脈沖雷達(dá)以及產(chǎn)業(yè),科學(xué)和醫(yī)療軟件。MACOM的產(chǎn)品組合行使了MACOM超越60年的傳統(tǒng),即便用GaN-on-Si技術(shù)供給尺度和定制處理計(jì)劃,以滿足客戶很苛刻的需求。MACOM的硅基氮化鎵產(chǎn)品以0.5微米HEMT工藝的分立和集成放大器供給,在寬兼職帶寬內(nèi)涵功率,增益,增益平整度,效率和耐用性方面均闡揚(yáng)出出色的RF性能。
?AMCOM?的GaAs MMIC PA中文名稱是砷化鎵MMIC功率放大器,由于GaAs具有十分高的電子遷移率,可用于制備高速或微波半導(dǎo)體器件。還能用于建造耐高溫、抗輻照或低噪聲器件,以及近紅外發(fā)光和激光器件,也用于作光電陰極質(zhì)料等。更慌張的是它將成為今后開展超高速半導(dǎo)體集成電路的根底質(zhì)料。例如:4G期間手機(jī)端PA的工藝以CMOS和GaAs為主、SOI和SiGe為輔,GaAs質(zhì)料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對Si器件具有高頻、高速的性能,在5G智能手機(jī)PA中將大批應(yīng)用。
QORVO功率放大器產(chǎn)品的組合提供了rf射頻行業(yè)領(lǐng)域中最廣泛性的元器件選用。QORVO功率放大器能夠適用于各種各樣不同的應(yīng)用場景,如移動(dòng)設(shè)備、 無線網(wǎng)絡(luò)連接、 網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施和國防安全和航空航天。這類組件展現(xiàn)了在應(yīng)用Qorvo操作過程中廣泛的功能性。
?RF-LAMBDA具備高性能主、被元器件的尺度產(chǎn)品和定制服務(wù),產(chǎn)品行業(yè)包含無線通訊、衛(wèi)星通訊、醫(yī)療服務(wù)和國防安全等。RF-LAMBDA被元器件有環(huán)形器,隔離器,衰減器,,負(fù)載終端,耦合器,功分器,過濾器,雙工器和適配器,RF-LAMBDA主元器件有射頻開關(guān),低噪聲放大器,功率放大器,數(shù)字衰減器,移相器,檢波器,限幅器和轉(zhuǎn)換器。
GaAs MMIC放大器指的是應(yīng)用砷化鎵半導(dǎo)體材料制造實(shí)現(xiàn)的,它在600℃以內(nèi),能在空氣中保持穩(wěn)定存在,而且不被非氧化性的酸浸蝕。因此GaAs MMIC放大器始終向著高頻率、大功率和低噪聲的方面快速發(fā)展。因?yàn)镚aAs原材料的導(dǎo)熱系數(shù)僅有Si的四分之一,其半導(dǎo)體元器件的可靠性就變得十分明顯。GaAs MMIC放大器具備微小化,重量輕,成本低和高可靠性等優(yōu)勢。
RF-LAMBDA是全世界技術(shù)領(lǐng)先的射頻微波與毫米波通信元器件制造廠商,RF-LAMBDA作為RF射頻寬帶處理方案的領(lǐng)航者,RF-Lambda供應(yīng)廣泛性的高端RF模塊,控制模塊和操作系統(tǒng)-從RF固態(tài)功率放大器和低噪音放大器到RF電源開關(guān),移相器和衰減器。依靠RF-LAMBDA的RF控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的微處理器和FPGA作用,RF-LAMBDA的產(chǎn)品被普遍用作高功率觀測站,相控陣操作系統(tǒng)和射頻寬帶干擾操作系統(tǒng)。應(yīng)用領(lǐng)域包括:無線基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),RF檢測設(shè)備,國家防御和航空航天。
通常情況下,Custom MMIC最先進(jìn)性的RF/微波射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)和子組件在規(guī)格上受限,而且規(guī)定比目前技術(shù)應(yīng)用更強(qiáng)的線性度。Custom MMIC致力于供應(yīng)GaN和GaAs RF功率放大器(PA),滿足需要RF/微波射頻系統(tǒng)的這類極高功率和高線性需求量,與此同時(shí)供應(yīng)具備寬帶寬的中小型裸片和表面貼裝(SMT)MMIC封裝。
AMCOM在調(diào)頻發(fā)射機(jī)的前級電源電路中,調(diào)配振蕩電路所造成的射頻信號額定功率較小,還要通過一系列的擴(kuò)大一緩解級、中間擴(kuò)大級(驅(qū)動(dòng)級放大器)、末級功率放大電路級,獲取充足的射頻輸出功率以后,才可以饋送到無線天線上輻射出去。
?SOUTHWEST的SuperSMA是一款超高性能的現(xiàn)場服務(wù)SMA連接器。SuperSMA充分利用了基本的PTFE介電端口(真正的SMA),并具備低VSWR模式(在27GHz標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)自由工作)和低于-100dB的RF泄漏。SOUTHWEST厚的外導(dǎo)體壁具備優(yōu)異的耐用性,可保證 反復(fù)搭配的可靠性,進(jìn)而提升了組件的性能指標(biāo)。SuperSMA端口符合MIL-STD-348。
ANDON為美國知名CCD插座連接器生產(chǎn)商,工廠工藝流程符合ISO9001標(biāo)準(zhǔn),其產(chǎn)品應(yīng)用在PCB板上,更方便CCD傳感器的拔插和升級更換,同時(shí)完美地保護(hù)昂貴的CCD產(chǎn)品不被損壞。
CustomMMIC在需用跨寬帶寬的高動(dòng)態(tài)范圍的寬范圍應(yīng)用領(lǐng)域中,CustomMMIC的寬帶分布式放大器在產(chǎn)品質(zhì)量和安全可靠性方面表現(xiàn)出色,甚至是超出了預(yù)期。這類分布式MMIC放大器中有幾個(gè)提供正增益斜率和單個(gè)正電壓,因此無需大型,復(fù)雜且昂貴的偏置和配對電源電路。其它功能包括:DC-50GHz(從UHF到X和K,再到V頻段)覆蓋面積,50歐姆配對設(shè)計(jì)和高動(dòng)態(tài)范圍。
SOUTHWEST西南微波公司成立于1981年,為毫米波和高功率射頻應(yīng)用領(lǐng)域提供最高的使用性能的互連產(chǎn)品。SOUTHWEST產(chǎn)品以高性能、高精密為技術(shù)應(yīng)用優(yōu)勢,廣泛運(yùn)用于測試、航天軍工等項(xiàng)目。如各種類型毫米連接器、線纜等。
AMCOM?射頻微波主要供應(yīng)的產(chǎn)品是分離組件FET、MMIC功率放大器、帶有射頻和直流連接器的高功率放大器模塊等。全部產(chǎn)品由AMCOM自主研發(fā)設(shè)計(jì),也能夠根據(jù)客戶的需要定制。AMCOM的產(chǎn)品頻率從10MHz-12GHz,功率從100mW-20W,增益20-30dB,效率30-40%。目前,AMCOM射頻微波已研發(fā)國內(nèi)合流的砷化鎵、氮化鎵等系列化的產(chǎn)品。
AMCOM標(biāo)準(zhǔn)SSPA模塊充分利用同相合成的工作原理,使高功率放大器的最大輸出功率大幅提高,現(xiàn)階段,C波段可達(dá)3KW,Ku波段也達(dá)到了1KW。AMCOM標(biāo)準(zhǔn)SSPA模塊只要有一個(gè)功能模塊出現(xiàn)故障,也僅使輸出最大功率下降幾個(gè)分貝,不至于造成信號的中止。
AMCOM?成立于1996年,是美國的一家射頻元器件設(shè)計(jì)生產(chǎn)公司,AM-COM公司提供電力場效應(yīng)晶體管,MMIC功率放大器,以及大功率放大器模塊與射頻無源器件。 AMCOM緊湊型SSPA模塊的頻率在0.01-40GHZ之間,SSPA全稱solid-state power amplifier (固態(tài)功率放大器),運(yùn)用范圍較廣泛,分別使用在雷達(dá)、固定微波回程、儀器和測量、軍事和航空航天等領(lǐng)域,該系列緊湊型SSPA模塊具有緊湊、重量輕、尺寸和尺寸小等特點(diǎn)。
Custom MMIC?開發(fā)了高性能的GaAs和GaNRF/微波射頻超低噪聲放大器(LNA),以實(shí)現(xiàn)對低偏置電流值,低偏置電壓,極低噪聲系數(shù),高增益和寬帶工作中的嚴(yán)苛設(shè)計(jì)要求。Custom MMIC低噪聲放大器的工作頻率為2至45GHz(L至Q頻率段),并選用超小型裸片和小型QFN封裝。GaAs和GaN MMIC LNA的微波射頻頻率噪聲系數(shù)低至0.6dB,主要用于高靈敏度的SATCOM和雷達(dá)應(yīng)用領(lǐng)域,并致力于具有高適應(yīng)能力的RF/微波射頻軍事和航空無線通信設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)。LNA的其它基本功能包括單正偏置電源和20dBm的輸入功率處理。
?AMCOM射頻微波為全世界客戶提供高功率晶體管、MMIC功率放大器等芯片與模塊產(chǎn)品。AMCOM產(chǎn)品,以寬帶放大器芯片為特色,極佳的線性曲線,持續(xù)性穩(wěn)定,廣泛使用于衛(wèi)星通信、雷達(dá)、航空、儀表、基站等領(lǐng)域。
?X3C19P1-04S?是一個(gè)低剖面,高性能4dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C19P1-04S是專為高功率放大器中的非二進(jìn)制拆分和合并而設(shè)計(jì)的,例如與3dB一起使用以獲得3路,以及需要低插入損耗的其他信號分配應(yīng)用。它可用于高達(dá)70瓦的大功率應(yīng)用。
X3C19F1-20S?是一個(gè)低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應(yīng)用而設(shè)計(jì)。X3C19F1-20S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊幅相平衡的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。它可以用于25瓦以下的大功率應(yīng)用。
X3C19P1-05S是一個(gè)低剖面,高性能5dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C19P1-05S是專為高功率放大器中的非二進(jìn)制拆分和合并而設(shè)計(jì)的,例如,與3dB一起使用以獲得3路,以及其他需要低插入損耗的信號分配應(yīng)用。它可用于高達(dá)70瓦的大功率應(yīng)用。
X3C19E2-20S?是一個(gè)低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DCS、PCS、WCDMA和LTE波段應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C19E2-20S是專為功率和頻率檢測以及VSWR監(jiān)測而設(shè)計(jì)的,在那里需要緊密控制耦合和低插入損耗。它可用于高達(dá)225瓦的大功率應(yīng)用。
X3C09P2-30S?是一個(gè)低剖面,高性能30dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應(yīng)用而設(shè)計(jì)。X3C09P2-30S專為功率和頻率檢測以及VSWR監(jiān)測而設(shè)計(jì),在這種情況下,需要緊密控制耦合和低插入損耗。它可用于高達(dá)225瓦的大功率應(yīng)用。
X3C09P1-05S?是一個(gè)低剖面,高性能5dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為安培應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C09P1-05S專為高功率放大器中的非二進(jìn)制拆分和合并而設(shè)計(jì),例如與3dB一起使用以獲得3路,以及需要低插入損耗的其他信號分配應(yīng)用。它可用于高達(dá)70瓦的大功率應(yīng)用。
立維創(chuàng)展代理EMCTechnology&FloridaRFs,EMCTechnology&FloridaRFLabs是國際公認(rèn)的薄膜和厚膜射頻和微波電阻器件、信號分發(fā)產(chǎn)品和電纜組件開發(fā)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。我們的客戶涵蓋通信、軍事、廣播設(shè)備、航天、航空、醫(yī)療設(shè)備以及測試和測量市場。我們的產(chǎn)品包括固定和溫控溫度可變衰減器、負(fù)載、RF電阻、混合3dB混合電路和定向耦合器、RF/微波電纜組件和智能檢波器溫度傳感負(fù)載。
X3C09P1-04S是一個(gè)低剖面,高性能4dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C09P1-04S是專為高功率放大器中的非二進(jìn)制分裂和合并而設(shè)計(jì)的,例如,與3dB一起使用以獲得3路,以及其他需要低插入損耗的信號分配應(yīng)用。
X3C09F1-20S是一個(gè)低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應(yīng)用而設(shè)計(jì)。X3C09F1-20S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊幅相平衡的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。
X3C09E2-20S?是一個(gè)低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應(yīng)用而設(shè)計(jì)。X3C09E2-20S是專為功率和頻率檢測以及VSWR監(jiān)測而設(shè)計(jì)的,在這里需要緊密控制耦合和低插入損耗。
X3C07P1-04S?是一個(gè)低剖面,高性能4dB定向耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。X3C07P1-04S是專為高功率放大器中的非二進(jìn)制分裂和合并而設(shè)計(jì)的,例如,與3dB一起使用以獲得3路,以及其他需要低插入損耗的信號分配應(yīng)用。
X3C07F1-02S?是一個(gè)低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個(gè)新的易于使用,制造友好的表面安裝包。X3C07F1-02S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。它可以用于25瓦以下的大功率應(yīng)用。零件經(jīng)過嚴(yán)格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(shù)(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS標(biāo)準(zhǔn)的浸錫處理工藝生產(chǎn)。