MSPD1000-H50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MSPD1000-E50采樣相位檢測器(SPD)模塊是一個混合電路,提供快速步進恢復二極管,耦合電容和低勢壘肖特基對。肖特基對用作通過步進恢復二極管的快速步進導通的采樣電路,或者在頻域中,肖特基充當混頻器以混合最接近微波頻率的SRD步的諧波。
MAPS-011008是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用無鉛4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-011007是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。MAPS-011007非常適用于需要高相位精度且相移范圍內損耗變化最小的場合。
MX8811H相當于一個高速11通道的8∶1多路復用器。雙數據速率鎖存器使11位差分數據輸出的數據速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。
MX4411H相當于一個高速11通道的4:1多路復用器。雙數據速率鎖存器使11位差分數據輸出的數據速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。
MX2412H相當于2:1多路復用器的高速12通道。雙數據速率鎖存器使12位差分數據輸出的數據速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以是 時鐘速率>4 GHz。
MX8811S是一個高速11通道的8∶1多路復用器。88個單端數據輸入被多路復用到11位差分數據輸出。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。
MX4411D是一個高速11通道的4:1多路復用器。44個差分對數據輸入被多路復用到11位差分數據輸出。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。
MX2412D是2:1多路復用器的高速12通道。24個差分對數據輸入被多路復用到12位差分數據輸出。輸出驅動器的上拉電源VCCO可用于設置適合于最流行的高速接口標準,如CML或LVDS的輸出電平。多路復用器可以以時鐘速率>4 GHz工作。數字數據輸入是具有片上100歐姆終端電阻的LVDS。
美國SignalCore提供SC800系列寬帶連續波集成信號合成器,產品集成了多重鎖相環、DDS、分頻器,小型尺寸貼片式封裝2”x1”,輸出頻率范圍25MHz~6GHz,自帶微處理器和驅動程序,極大地降低了設備通信設計復雜程度。
DS872是一種高速直接數字合成器(DDS),頻率調諧分辨率為32位,ROM相位分辨率為13位,DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和返回到零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間進行選擇。
DS875A是一種高速直接數字合成器(DDS),具有相位調制和幅度調制輸入端口,設計用于直接極性調制或QAM應用。它具有24位的頻率調諧分辨率,8位的相位調制輸入和8位的幅度調制輸入。內部ROM具有12位的相位分辨率,內部DAC具有11位的幅度分辨率。
DS875是一種帶有調相輸入端口的高速直接數字合成器(DDS)。它具有30位的頻率調諧分辨率和11位的相位調制輸入。內部ROM具有12位的相位分辨率,內部DAC具有11位的幅度分辨率。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(第一)之間選擇。
ds855是高速直接數字頻率合成器(DDS)與一個32位頻率調諧分辨率,11位相位調制輸入和11位的幅度分辨率。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產生到接近1.2 GHz(在2.5GHz時鐘速率)。初始相位可以重置為零度的正弦波開始。
MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010165是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010163是一款GaAs pHEMT 6位數字移相器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝,集成CMOS驅動器。步長為5.6°,提供從0°到360°的相移,步長為5.6°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010146是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°,提供從0°到360°的相移,步長為22.5°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010145是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°,提供從0°到360°的相移,步長為22.5°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器,集成CMOS驅動器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°,提供從0°到360°的相移,步長為22.5°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
MAPS-010143是一款GaAs pHEMT 4位數字移相器,采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝,集成CMOS驅動器。步長為22.5°,提供從0°到360°的相移,步長為22.5°。該設計經過優化,可最大限度地減少相移范圍內衰減的變化。
DS856是一種高速直接數字合成器(DDS),頻率調諧分辨率為32位,ROM相位分辨率為13位,DAC幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產生到接近1.6 GHz(在3.2-GHz時鐘速率)。
DS852是一種高速直接數字合成器(DDS),頻率調諧分辨率為32位,幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產生到接近1.1 GHz(在2.2-GHz時鐘速率)。初始階段可以重置為零度開始。該芯片有一對互補輸出50Ω后端。
DS877是一種高速直接數字合成器(DDS),頻率調諧分辨率為32位,ROM相位分辨率為13位,DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。
DS878是一種高速直接數字合成器(DDS),頻率調諧分辨率為32位,ROM相位分辨率為13位,DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。
我們報告了一種超寬帶高功率高效率的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率,22dB增益,40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。
我們報告了一個高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之間。這個實現80W脈沖(100US脈沖寬度和10%占空比)MMIC循環)輸出功率(P5dB),40MHz,50W效率為54%大約30%的效率在大部分的中間波段,以及在400MHz時,效率逐漸降低到30W,效率為22%。
GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯的多個子單元,然后對子單元輸出進行功率組合。