PH1090-550S寬帶C類操作功率晶體管,具有NPN硅微波功率晶體管、符合RoHS標準、內部輸入和輸出阻抗匹配、擴散發射極鎮流電阻器等特點。
PH1090-350L射頻微波功率晶體管,具有通用基本配置、符合RoHS標準、密封金屬/陶瓷封裝、內部輸入和輸出阻抗匹配、擴散發射極鎮流電阻器等特征。
PH1090-175L封裝NPN硅微波功率晶體管,具有符合RoHS標準、 內部輸入和輸出阻抗匹配、擴散發射極鎮流電阻器、通用基本配置、寬帶C類操作等特點。
PH1090-15L寬帶C類NPN硅微波功率晶體管,具有內部輸入和輸出阻抗匹配、金金屬化系統、擴散發射極鎮流電阻器、 高效數字間幾何等特征。
MRF587設計用于高增益,低噪聲,超線性,調諧和寬帶放大器。適用于CATV,MATV和儀器儀表應用。具有全金屬金屬系統、離子注入、鎳鉻合金發射極鎮流器電阻器等特點。
MRF448A主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器,適用于船舶和基站設備。額定50 V,30 MHz特性:輸出功率= 250 W,最小增益= 12 dB,效率= 45%。
MRF428主要設計用于高壓應用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設備。額定50 V,30 MHz特性:輸出功率= 150 W(PEP),最小增益= 13 DB,效率= 45%。
MRF393雙極主要設計用于30至500 MHz頻率范圍內的寬帶大信號輸出和驅動放大器級。具有高可靠性金金屬化系統、推挽式配置降低了偶數編號的諧波等特征。
MRF323雙極主要設計用于200-500 MHz頻率范圍內的寬帶大信號驅動器和預驅動放大器級。具有高可靠性金金屬化系統、計算機控制的引線鍵合提供一致的輸入阻抗等特征
MRF317雙極主要設計用于30-200 MHz頻率范圍內的寬帶大信號輸出放大器級,具有高可靠性應用的金金屬化系統、 內置匹配網絡,用于寬帶運營、寬帶測試裝置的保證性能等。
MRF316雙極主要設計用于30-200 MHz頻率范圍內的寬帶大信號輸出放大器級。具有用于寬帶操作的內置匹配網絡、 高可靠性應用的金金屬化系統等特征。
MRF313雙極專為軍事,移動和飛機無線電中的寬帶放大器,驅動器或振蕩器應用而設計。具有用于改善MTBF的發射鎮流器和低電流命運、提高穩定性的共同發射極等特點。
MRF16006雙極設計用于范圍為1600 - 1640 MHz的28 V微波大信號,公共基極,C類,CW放大器應用。具有金屬金屬化,發射器Ballasted長壽命和抗金屬遷移、 氮化硅鈍化等特點。
?MRF1090MB?設計用于短脈沖TACAN,IFF和DME發射器中的B類和C類共基極放大器應用。具有金屬金屬化,發射器具有長壽命和抗金屬遷移性、 行業標準包裝等特點。
MRF10502專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應用而設計,如TCAS,TACAN和Mode-S發射器。具有內部輸入和輸出匹配、金屬金屬化,發射器,Ballested長壽命和金屬遷移等特點。
MRF10350雙極專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應用而設計,如TCAS,TACAN和Mode-S發射器。具有氮化硅鈍化、金屬金屬化,發射器具有長壽命和抗金屬遷移性等特點。
MRF10150專為1025-1150 MHz脈沖公共基極放大器應用而設計,如TCAS,TACAN和Mode-S發射器。具有金屬金屬化,發射器具有長壽命和抗金屬遷移性、 氮化硅鈍化、密封包裝等特點
MRF10120?雙極專為960-1215 MHz長脈沖共基放大器應用而設計,如JTIDS和S模式發射機。具有氮化硅鈍化、 密封封口行業標準包裝、 寬帶操作的內部輸入和輸出匹配等特點。
MRF1004MB雙極微波脈沖功率硅NPN晶體管4.0W(峰值),960-1215MHz,設計用于短脈沖和長脈沖TACAN,IFF,DME和雷達發射器中的B類和C類共基極放大器應用。
MAPRST1030-1KS雙極NPN硅功率晶體管,具有擴散發射極鎮流電阻器、高效的數字間幾何、密封金屬/陶瓷封裝、符合RoHS標準、內部輸入和輸出阻抗匹配等特點。
MAPRST0912-50是RF功率晶體管。這些高功率晶體管是航空電子,通信,雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
MAPRST0912-350微波功率晶體管,具有內部輸入和輸出阻抗匹配,金金屬化系統,擴散發射極鎮流電阻器,寬帶C類操作,密封金屬/陶瓷封裝等特點
MAPR-002729-170M00雙極?NPN硅微波功率晶體管,符合RoHS標準,內部輸入和輸出阻抗匹配、擴散發射極鎮流電阻器、寬帶C類操作、密封金屬/陶瓷封裝。
MAPR-001214-380M00雷達脈沖功率晶體管,具有NPN硅微波功率晶體管、金屬化系統、擴散發射極鎮流電阻器、寬帶C類操作、內部輸入和輸出阻抗匹配等特點
131D-02K-LT5DB是一款直接調制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監控光電二極管。
131D-02J-LCT11-07是一款直接調制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二極管芯片,采用獲得專利的蝕刻刻面技術,成本低廉,可作為測試芯片或晶圓使用。
131D-02I-LT5UB是一款直接調制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監控光電二極管。
131D-02I-LT5MB是一款直接調制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監控光電二極管。
131D-02I-LT5CB是一款直接調制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監控光電二極管。
131D-02I-LT5AB是一款直接調制的2.5Gbps 1310 nm分布式反饋(DFB)激光二極管器件,采用密封TO-56封裝,帶有平窗,球透鏡或非球面透鏡,以及集成的InGaAs監控光電二極管。