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HMC347A-Die 是ADI生產(chǎn)制造的一款寬帶、非反射式、砷化鎵（GaAs）假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）單刀雙擲（SPDT）單片微波集成電路（MMIC）芯片。HMC347A-Die采用獨(dú)特的砷化鎵(GaAs)工藝技術(shù)。適合用在 0.1 GHz 至 20 GHz 的工作頻段，具有較高的隔離度和低插入損耗，尤其適合高頻率應(yīng)用領(lǐng)域。

基本參數(shù)

工作頻率范圍：0.1 GHz 至 20 GHz

插入損耗：0.1 GHz 至 10 GHz：1.6 dB

隔離度：0.1 GHz 至 10 GHz：47 dB

輸入線(xiàn)性：輸入1 dB壓縮點(diǎn)（P1dB）：29 dBm（標(biāo)稱(chēng)值）

功率處理效率：通過(guò)線(xiàn)路：27 dBm

控制電壓：-5V/0V

工作溫度范圍：-55°C 至 +85°C

封裝形式：10-Pad裸芯片

封裝與安裝需求

HMC347A選用裸片(die)形式封裝，背部金屬化處理，需要使用金錫(AuSn)共晶預(yù)制構(gòu)件或?qū)щ娦原h(huán)氧樹(shù)脂直接貼裝到接地層。芯片直徑是0.102mm(4密耳)，安裝時(shí)需重點(diǎn)關(guān)注以下要點(diǎn)：

基板選擇：建議使用0.127mm(5mil)厚氧化鋁薄膜基板上的50Ω微帶同軸電纜。

共軸處理：在使用0.254mm(10密耳)厚基板時(shí)，需將芯片提高0.150mm(6密耳)使其表面與基板共軸。

散熱考慮：需通過(guò)0.15毫米厚鉬散熱器連接芯片與接地層。

應(yīng)用領(lǐng)域

測(cè)試設(shè)備：用作高頻噪聲的測(cè)試和測(cè)量。

微波無(wú)線(xiàn)通信和甚小孔徑終端（VSAT）：在無(wú)線(xiàn)電頻率中實(shí)現(xiàn)切換控制。

軍工用無(wú)線(xiàn)通信、雷達(dá)和電子對(duì)抗（ECM）：滿(mǎn)足軍事通信和雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的需求。

寬帶電信系統(tǒng)：在寬帶通信網(wǎng)絡(luò)中實(shí)現(xiàn)信號(hào)路由和切換。

光纖產(chǎn)品：在光纖通信中用于切換控制和路由。

空間應(yīng)用：適合用在航天器等空間設(shè)備中的高頻率切換控制。

深圳市立維創(chuàng)展科技是ADI的分銷(xiāo)商，主要提供放大器、線(xiàn)性產(chǎn)品、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、音視頻產(chǎn)品、寬帶產(chǎn)品、時(shí)鐘和定時(shí)IC、光纖通信產(chǎn)品、接口和間隔、MEMS和傳感器、電源和熱經(jīng)管、處理器和DSP、射頻和圖形處理器、開(kāi)關(guān)和分配器等，產(chǎn)品原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，歡迎咨詢(xún)。