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MSN12AD20-MQ應(yīng)了解低交流阻抗電源模塊，高電感電源或線路電感也許會影響到MSN12AD20-MQ的穩(wěn)定性能。輸入電容器需要直接置放在MSN12AD20-MQ的輸入管腳上，以最小化輸入紋波電壓并保證MSN12AD20-MQ穩(wěn)定性能。

為了能減少輸出紋波并增強對階躍負載變動的動態(tài)響應(yīng)，需要在輸出端應(yīng)用額外的電容器。推薦應(yīng)用低ESR聚合物和陶瓷電容器來提高MSN12AD20-MQ的輸出紋波和動態(tài)響應(yīng)。

MSN12AD20-MQ有個內(nèi)部0.6V參考電壓，輸出電壓能通過分流電阻器RFBH和RFBL開展編程，分流電阻器需要盡量合閉到VOUT管腳、FB管腳和VOSNS管腳。強烈建議兩個電阻器的電阻值均在100Ω至3.4kΩ之間。假如RFBH設(shè)置為976歐姆，輸出電壓能夠如等式1所示計算，典型輸出電壓的電阻如表1所示。

最低軟啟動時間限制為3ms。能通過在TRK管腳和VOSNS管腳之間增加SS電容器來提升。SS電容器總值可根據(jù)等式2確定：

MSN12AD20-MQ提供個模擬輸入管腳（TRK），適用于追蹤另一個開關(guān)電源或接受外部參考。當外部電壓信號接入到TRK時，它當作MSN12AD20-MQ輸出電壓的參考。FB電壓完全遵照該外部電壓信號，軟啟動設(shè)定被忽略。TRK輸入信號能夠在0.3V到1.4V的范圍之內(nèi)。在初期啟動期間，TRK需要首先實現(xiàn)最少600mV，以保障正常運轉(zhuǎn)。之后，能將其設(shè)定為0.3V和1.4V之間的任何值。

MSN12AD20-MQ具備功率優(yōu)良（PG）輸出。PG是MOSFET的開漏。根據(jù)上拉電阻器（通常為10kΩ）將PG接入到VCC或其他低于3.6V的外部電壓源。施加輸入電壓后，MOSFET通斷，因此在軟啟動準備好之前，PG被拉至GND。在FB電壓實現(xiàn)參考電壓的96%后，PG在0.8ms延遲后被拉升。當FB電壓降至參考電壓的80%或超出標稱參考電壓的116%時，PG鎖定為低。PG只能夠在新的軟啟動后再次被拉升。如果輸入開關(guān)電源無法為MSN12AD20-MQ供電，則即便PG根據(jù)上拉電阻器接入到外部直流開關(guān)電源，PG也會被鉗位為低。

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