產(chǎn)品詳情介紹
AM012WN-BI-R是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬度為1.25毫米。它是在一個(gè)陶瓷雙包操作高達(dá)10千兆赫。BI系列采用特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，采用嵌入式安裝方式，帶有彎曲（BI-G）或直（BI）導(dǎo)線(xiàn)。封裝底部的法蘭同時(shí)用作直流接地、射頻接地和熱通道。此部分符合RoHS。
特征
高達(dá)10GHz的高頻操作
增益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
表面貼裝
有效散熱的底層
應(yīng)用
高動(dòng)態(tài)接收器
蜂窩無(wú)線(xiàn)基站
寬帶和窄帶放大器
雷達(dá)
測(cè)試儀器
軍事
干擾器