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CGH21120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設計，這使得CGH21120F非常適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE放大器應用。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征

?1.8-2.3 GHz操作

?15 dB增益

?-35 dBc ACLR，20W路面

?20W鋪面時35%的效率

?可采用高度DPD校正