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芯片衰減器

重要參數

芯片衰減器,最高250瓦，最高18 GHz，標準衰減器在所有溫度下均等地降低RF功率，而溫度可變芯片設計為在高溫下減小其衰減，以提供信號調平應用所需的最佳響應。片狀衰減器用于放大器電路，接收器，上/下轉換器，相位匹配陣列和開關應用。根據所需的規格，可以在帶有薄或厚電阻的BeO，氮化鋁或氧化鋁陶瓷上制造芯片。

品牌：MACOM

產品詳情介紹

芯片衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
2KNA100	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
2KNA150	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
KPA10	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
KPA100	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
KPA20	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
KPA50	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
PCA	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
PCAA	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAAF	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAAL	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
PCAAW	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAF	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
PCAL	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
PCAW	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
TPA100	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040

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