L波段高壓砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管AM010MH4-BI-R
發(fā)布時(shí)間:2018-11-05 15:33:48 瀏覽:1807
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系列GaAs HIFET的一部分。HiFET是高壓、高功率、高線性和寬帶應(yīng)用的部分匹配專利設(shè)備配置。該器件的總器件外圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功率微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,工作頻率高達(dá)3GHz。BI系列采用一種特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝,具有彎曲或直線的引線和凸緣安裝方式。封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這個(gè)HiFET是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。
品牌 | 型號(hào) | 貨期 | 庫(kù)存 |
AMCOM | AM010MH4-BI-R | 1周 | 50 |
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用于有效散熱的陶瓷封裝
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