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O-CS8系列OCXO（恒溫晶體振蕩器）采用14 mm（長）× 21 mm（寬）× 7.5 mm（高）超小型表貼式（SMD）封裝設(shè)計，在極小體積內(nèi)集成SC-cut晶體與高精度恒溫控制電路，實現(xiàn)±50 ppb（-40℃~+75℃）全溫頻率穩(wěn)定度與10Hz偏移處優(yōu)于-105 dBc/Hz相位噪聲的卓越性能，滿足5G基站、衛(wèi)星通信、相控陣雷達等對時鐘精度要求嚴苛的高端場景需求。

核心性能參數(shù)（典型值@100 MHz）

相位噪聲：

10 Hz偏移：-105 dBc/Hz（Grade “U”）

1 kHz偏移：-162 dBc/Hz

100 kHz偏移：-180 dBc/Hz

頻率穩(wěn)定度：

全溫范圍：-55℃~+85℃（可選），±50 ppb（標準），±5 ppb（可選）

老化率：≤5 × 10??/天（連續(xù)運行30天后）

短期穩(wěn)定度（0.1–1 s Allan方差）：≤5 × 10?11

G靈敏度：0.5 ppb/G

輸出波形：正弦波（+15 dBm，50 Ω）或CMOS/TTL（可定制）

供電：3.3 V或5 V單電源

功耗：穩(wěn)態(tài)1 W（25℃），啟動3.5 W

封裝：14 × 21 × 7.5 mm SMD，8-pin，支持一次回流焊（MSL 1級）

功能特色：滿足嚴苛環(huán)境與高精度需求

超低相位噪聲：

適用于Ka波段相參雷達、5G毫米波小基站、高端測試設(shè)備等對參考源噪聲要求極高的場景，避免信號失真與干擾。

高精度頻率牽引：

支持±2.5 ppm牽引范圍，絕對牽引精度±0.5 ppm，便于與鎖相環(huán)（PLL）或數(shù)字補償電路集成。

寬溫工作能力：

標準版本支持-40℃~+75℃，軍溫級版本可擴展至-55℃~+85℃，滿足航空航天、戶外基站等極端環(huán)境需求。

高可靠性設(shè)計：

符合MIL-STD-202振動/沖擊標準及JEDEC J-STD-020回流焊規(guī)范，支持無清潔制程，降低生產(chǎn)成本。

應用場景：驅(qū)動高端技術(shù)革新

通信系統(tǒng)

l 5G基站：作為時間同步單元（TSU）核心時鐘，降低空口時延至1 ms以內(nèi)，顯著提升URLLC（超可靠低時延通信）性能，支撐工業(yè)自動化、車聯(lián)網(wǎng)等實時應用。

l 衛(wèi)星通信：在Ka/Q波段高吞吐量系統(tǒng)中，保障載波相位一致性，支持相控陣天線波束精準指向，提升衛(wèi)星鏈路容量與抗干擾能力。

雷達與電子戰(zhàn)

l 相控陣雷達：為T/R模塊提供低相噪本振信號，提升目標探測距離分辨率至0.1米級，增強戰(zhàn)場態(tài)勢感知能力。

l 電子對抗：在跳頻通信系統(tǒng)中，縮短頻率切換時間至10 μs以內(nèi)，實現(xiàn)快速頻譜規(guī)避，提升系統(tǒng)生存能力。

測試與測量

l 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）：作為參考時鐘，降低動態(tài)范圍誤差至-120 dB，提升S參數(shù)測量精度，助力高頻器件研發(fā)。

l 頻譜分析儀：在100 GHz頻段下，相位噪聲貢獻≤-160 dBc/Hz，避免儀器本底噪聲掩蓋微弱信號，支持太赫茲通信與雷達測試。

科研與醫(yī)療

l 核磁共振成像（MRI）：為梯度線圈驅(qū)動提供穩(wěn)定時鐘，降低圖像偽影，提升空間分辨率至0.5 mm3，助力精準醫(yī)療。

l 粒子加速器：在同步輻射光源中，保障束流軌道穩(wěn)定性，支持納秒級時間分辨實驗，推動材料科學與生命科學前沿研究。

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