久久av导航,热久久免费,亚洲精品自拍

?第三代650 V裸片SiC MOSFET

發布時間：2025-01-03 16:57:39 瀏覽：477

行業內超一流導通電阻和開關損耗，能夠實現最佳性能和功率密度參數。

Wolfspeed根據第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅（SiC）技術上的主導地位。在更全面的電力系統中滿足體型更小、重量更輕、更高效的電力轉化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工業電源、服務器/電信網絡電源、新能源電動車（EV）充電裝置、儲能設備、應急電源（UPS）和電池管理系統等功能的最佳選擇。

特征

低溫環境的低導通電阻

低寄生電容

具備極低反向恢復的高效二極管

持續高溫操控（Tj=175°C）

優勢

通過調整開關和傳輸損耗提高設備效率

實現高開關頻率操控

提高系統級功率密度參數

降低裝置規格；重量；和冷卻要求

典型應用

工業電源

服務器/電信網絡

新能源充電樁裝置

儲能設備（ESS）

應急電源（UPS）

電池管理系統（BMS）

CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，信用保證原裝正品。

*部分型號需申請美國出口許可。詳情了解更多型號，歡迎咨詢立維創展！

Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Gate Charge Total	Output Capacitance	Reverse Recovery Charge (Qrr)	Reverse Recovery Time (Trr)	Tjmax	Generation
CPM3-0650-0015A	650 V	15 mΩ	120 A	190 nC	290 pF	510 nC	22 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0045A	650 V	45 mΩ	49 A	63 nC	100 pF	247 nC	13 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0060A	650 V	60 mΩ	37 A	46 nC	80 pF	151 nC	11 ns	175 °C	Gen 3

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHA3398-98F高功率放大器UMS

色婷婷999_99久33精品字幕_日韩一区二区三_欧美福利在线观看_中文成人在线_成人免费高清视频