?CMPA0060002D射頻放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-12-02 17:14:36 瀏覽:743
CMPA0060002D是一種帶有氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優(yōu)異的性能,包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的飽和電子漂移速度與更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA0060002D使用分布式(導(dǎo)波)放大器設(shè)計(jì)思路,能夠在更小的占用面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)極寬的帶寬。
特征
?17 dB小信號(hào)增益值
?2 W典型PSAT
?額定電壓高達(dá)28V
?高擊穿場(chǎng)強(qiáng)
?高溫度使用
?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸
應(yīng)用
?超寬帶放大器
?光纖線驅(qū)動(dòng)器
?測(cè)試設(shè)備
?EMC放大器驅(qū)動(dòng)器
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