GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管
發布時間:2024-11-20 16:51:18 瀏覽:643
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。GTRB246608FC-V1具備高效率和無軸環的熱增強封裝。
產品規格
闡述:高功率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz
最高頻率(MHz):2400
增益(dB):15.7
封裝類別:Earless
特征
典型脈沖CW性能,2400 MHz,48 V,10μs脈沖頻率,10%占空比,組合輸出
P4dB=600 W時的輸出功率
P4dB=60%時的效率
深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件,如若需要購CREE產品,請點擊右側客服聯系我們!!!
推薦資訊
深圳市立維創展科技有限公司,是美國THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中國的授權渠道商,其金屬玻璃密封端子,已廣泛應用于航天、軍事、通信等高可靠性領域。
VIAVI Solutions推出的Xgig? 16通道CEM內插器專為PCI Express? 5.0設計,作為分析儀等平臺與被測系統間的橋梁,可安裝于常見服務器、工作站及臺式PC的16通道PCIe CEM插槽,以32GTps速度、PCIe 5.0標準支持16個雙向通道運行,能助力新IC等全面調試驗證并支持制造測試。