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?CGHV60170D-GP4高電子遷移率晶體管

發布時間:2024-11-18 17:03:20     瀏覽:608

CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能;包含較高的擊穿場強;飽和電子偏移速度較高;及其較高的傳熱性。與SiGaAs晶體管相比較,CGHV60170D提供較高的功率密度和更寬的頻帶寬度。

CGHV60170D-GP4.png

產品規格

闡述:170瓦;6.0 GHz50VGaN HEMT芯片

最低頻率(MHz):0

最高頻率(MHz):6000

增益值(dB):17

封裝類別:Die

特征

65%典型功率附加效率

170 W典型PSAT

50V操控

高擊穿場強

頻率范圍高至6 GHz

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