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?CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE

發布時間：2024-02-29 17:09:17     瀏覽：778

CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D選用0.25μm柵極尺寸工藝技術。與硅相比較，GaN-on-SiC具有更加優異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。

CMPA1D1E030.png

特征

27 dB 小信號增益值

30 W 典型 PSAT

工作電壓高至 40 V

高擊穿場強

高溫度操控

應用領域

衛星通訊上行鏈路

產品規格

描述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 功率放大器

最低頻率(MHz)：13750

最高頻率(MHz)：14500

最高值輸出功率(W)：30

增益值(dB)：26.0

效率（％）：25

工作電壓(V)：40

形式：MMIC 裸片

封裝類別：Die

技術：GaN-on-SiC

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