?CHA3666-FAB C/X/Ku波段低噪聲放大器UMS
發布時間:2024-01-08 17:04:53 瀏覽:631
CHA3666-FAB是種二級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
CHA3666-FAB采用高精度PHEMT工藝技術:0.25um柵極尺寸,橫穿基板的通孔,空氣橋電子束柵極光刻技術。
CHA3666-FAB推薦使用無導線表面貼裝技術密封性金屬陶瓷6x6mm封裝,整體性電源為4V/80MA。
CHA3666-FAB常用于空間技術應用,特別適合各種各樣微波和毫米波應用與體系。
主要特征
寬帶性能6-16GHZ
1.8db典型相位噪聲
24dbm3e交易截取點
縮減1db時的16dbm功率
21db增益值
低直流電功能損耗
6x6mm金屬陶瓷密封包裝
推薦資訊
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設計的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數,接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應用于信號分割/組合、天線波束形成網絡等多個領域。