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MA4AGSW1A鋁鎵砷單極單擲（SPST）吸收式PIN二極管開關 MACOM現(xiàn)貨代理商

發(fā)布時間：2018-07-17 15:20:07 瀏覽：1937

AlGaAs吸收性

MACOM的MA4AGSW1A是一種鋁鎵砷單極單擲（SPST）吸收式PIN二極管開關。該開關采用增強型AlGaAs陽極，采用MACOM專利的異質結技術形成。與使用傳統(tǒng)GaAs工藝制造的器件相比，AlGaAs技術產(chǎn)生的開關損耗更小。在50GHz時，可以實現(xiàn)0.3dB的插入損耗降低。該器件采用OMCVD外延晶圓制造，采用專為高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。芯片內的PIN二極管具有低串聯(lián)電阻，低電容和快速開關速度。它們完全被氮化硅鈍化，并具有額外的聚合物層用于劃痕保護。保護涂層可防止在處理和組裝二極管結以及陽極空氣橋時的損壞。將需要片外偏置電路。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
MACOM	MA4AGSW1A	鋁鎵砷單極單擲（SPST）吸收式PIN二極管開關	現(xiàn)貨	300

MA4AGSW1A特征

超寬帶寬：50 MHz至50 GHz
50GHz時0.5 dB插入損耗
功能帶寬：50 MHz至70 GHz
低電流消耗，低損耗狀態(tài)-5V
50 GHz時46 dB隔離
氮化硅鈍化
低電流消耗，隔離狀態(tài)為+ 10mA
符合RoHS標準*
聚合物劃痕保護
260°C回流兼容

MA4AGSW1A應用

航空航天與國防
軍工軍事工業(yè)商業(yè)

MA4AGSW1A產(chǎn)品規(guī)格

最小頻率：50 MHz
最大頻率：50,000 MHz
插入損耗：1.2 dB
隔離：48 dB

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