CGHV1J006D高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管 現貨
發布時間:2019-02-22 14:16:56 瀏覽:1876
SKU:CGHV1J006D
Wolfspeed的CGHV1J006D是一種采用0.25μm柵極長度制造工藝的碳化硅襯底上的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN-on-SiC產品具有出色的高頻,高效特性。它適用于工作頻率范圍為10 MHz至18 GHz,40 V且具有高擊穿電壓的各種應用。
特征
品牌 | 型號 | 貨期 | 庫存 |
CREE | CGHV1J006D | 1周 | 200 |
峰值輸出功率 | 6W | |
---|---|---|
應用 | 通用寬帶,40 V | |
典型的功率附加效率PAE | 60%@ 10 GHz | |
典型功率(PSAT) | 6瓦 | |
工作電壓 | 40 V | |
頻率 | DC - 18.0 GHz | |
包裝類型 | 死 | |
小信號增益 | 17 dB @ 10 GHz |
示意圖
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