CGHV96050F2碳化硅高電子遷移率晶體管 代理現(xiàn)貨
發(fā)布時間:2019-02-22 10:22:17 瀏覽:1812
50 W,7.9 - 9.6 GHz,50歐姆,輸入/輸出匹配GaN HEMT
Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅(SiC)基板上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其他技術(shù)相比,這種GaN內(nèi)部匹配(IM)FET具有出色的功率附加效率。與硅或砷化鎵相比,GaN具有優(yōu)異的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導(dǎo)熱率。與GaAs晶體管相比,GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該IM FET采用金屬/陶瓷法蘭封裝,具有最佳的電氣和熱性能。
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CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
峰值輸出功率 | 50W | |
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應(yīng)用 | L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段 | |
典型的功率附加效率PAE | 55% | |
典型功率(PSAT) | 80瓦 | |
功率增益 | 10分貝 | |
工作電壓 | 40 V | |
頻率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
包裝類型 | 輪緣 | |
內(nèi)部匹配 | 是 - 50Ω |
示意圖
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